Архивы Модули памяти ОЗУ (RAM, DDR) - Byte/RE

Память CAMM2 заменит SO-DIMM?

Максим Белоус — Fri, 15 Dec 2023 14:22:00 +0000

Память стандарта 2nd Gen CAMM должна обеспечить повышенную скорость передачи данных, занимая притом меньший объем в корпусах мобильных платформ. Площадь же текстолитовой основы CAMM2 может быть довольно большой, что позволяет задействовать всего один модуль для установки в систему до 128 Гбайт оперативной памяти.

Сообщение Память CAMM2 заменит SO-DIMM? появились сначала на Byte/RE.

MCR – оперативная память DDR5 с улучшенным быстродействием

Лев Левин — Wed, 20 Sep 2023 11:38:36 +0000

Технология MCR, разработанная совместно Intel и корейской SK hynix, обеспечивает одновременное использование обоих рангов памяти, что удваивает объем извлекаемых из модуля памяти данных.

Сообщение MCR – оперативная память DDR5 с улучшенным быстродействием появились сначала на Byte/RE.

Сверхплотная память DRAM от Samsung

--> — Fri, 08 Sep 2023 18:53:21 +0000

Южнокорейская компания Samsung представила первую в мире серийную СБИС оперативной памяти DDR5 DRAM, способную хранить 32 Гбит данных. Выполненные по новейшему (именно для микросхем памяти, производственные нормы для которых миниатюризируются сложнее и дольше, чем для процессоров) 12-нм технологическому процессу, эти чипы открывают новые возможности для уплотнения подсистем ОЗУ на всех уровнях – от пользователей до […]

Сообщение Сверхплотная память DRAM от Samsung появились сначала на Byte/RE.

Память HBM: теперь в 12 слоев

Максим Белоус — Thu, 25 May 2023 09:41:18 +0000

SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.

Сообщение Память HBM: теперь в 12 слоев появились сначала на Byte/RE.

SK hynix снижает обороты

--> — Fri, 28 Apr 2023 14:57:54 +0000

Компания SK hynix, южнокорейский изготовитель микросхем (прежде всего памяти различных типов), выпустила отчет за I кв. 2023 г., который оказался не самым воодушевляющим. Компания зафиксировала убыток в размере 3,4 трлн вон (около 2,5 млрд долл.). Это уже второй квартал подряд с отрицательной динамикой: за последние три месяца 2022-го SK hynix недосчиталась 1,9 трлн вон. Выручка […]

Сообщение SK hynix снижает обороты появились сначала на Byte/RE.

LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г.

Максим Белоус — Thu, 02 Feb 2023 14:53:46 +0000

Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта, и сверхнизкое энергопотребление.

Сообщение LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г. появились сначала на Byte/RE.

The future has CAMM, или Новая память для ноутбуков

Максим Белоус — Wed, 18 Jan 2023 14:54:50 +0000

Международная группа по стандартизации JEDEC намерена вскоре обнародовать новую спецификацию форм-фактора модуля ОЗУ для ноутбуков – CAMM (Compression Attached Memory Module).

Сообщение The future has CAMM, или Новая память для ноутбуков появились сначала на Byte/RE.

Память DDR5 от Micron для серверов на базе новых AMD Epyc

--> — Mon, 28 Nov 2022 09:11:48 +0000

Компания Micron Technology, одновременно с анонсом AMD 4-го поколения серверных процессоров Epyc 9004 (Genoa), объявила о доступности для заказа модулей оперативной памяти DDR5, сертифицированных AMD для использования в системах на базе ее нового процессорного кристалла. Летом Micron уже предоставила опытные образцы этих модулей для тестирования ведущим серверным вендорам. По данным Micron, по сравнению с текущим […]

Сообщение Память DDR5 от Micron для серверов на базе новых AMD Epyc появились сначала на Byte/RE.

Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее

Максим Белоус — Mon, 31 Oct 2022 10:55:07 +0000

В планах, объявленных на Samsung Tech Day 2022, – массовое производство современных СБИС (в частности, пятого поколения DRAM класса 10 нм), серийное производство сверхмногослойных микросхем NAND с 1 тыс. слоев многоуровневых ячеек и интегрированные полупроводниковые решения.

Сообщение Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее появились сначала на Byte/RE.