<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>Архивы Память V-NAND - Byte/RE</title>
	<atom:link href="https://bytemag.ru/tag/pamyat-v-nand/feed/" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://bytemag.ru/tag/pamyat-v-nand/</link>
	<description>Byte/RE ИТ-издание</description>
	<lastBuildDate>Mon, 24 Nov 2025 23:04:01 +0000</lastBuildDate>
	<language>ru-RU</language>
	<sy:updatePeriod>
	hourly	</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>
	1	</sy:updateFrequency>
	<generator>https://wordpress.org/?v=6.9.4</generator>
	<item>
		<title>Память – это дорого</title>
		<link>https://bytemag.ru/pamyat-eto-dorogo-44646/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[Максим Белоус]]></dc:creator>
		<pubDate>Wed, 12 Nov 2025 22:53:19 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Память и накопители]]></category>
		<category><![CDATA[Macronix]]></category>
		<category><![CDATA[Sandisk]]></category>
		<category><![CDATA[ИИ-серверы]]></category>
		<category><![CDATA[Искусственный интеллект (AI)]]></category>
		<category><![CDATA[Память DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[Память HBM]]></category>
		<category><![CDATA[Память V-NAND]]></category>
		<category><![CDATA[Флэш-память NOR]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://bytemag.ru/?p=44646</guid>

					<description><![CDATA[<p>На рынке компьютерной памяти небывалый рост цен сочетается с нехваткой производственных мощностей, которые позволили бы оперативно увеличить предложение. Причина в том, что ее изготовители недооценили значимость ИИ-сектора мирового рынка, перестав наращивать мощности по выпуску чипов памяти, которые сейчас требуются для ИИ-серверов. </p>
<p>Сообщение <a href="https://bytemag.ru/pamyat-eto-dorogo-44646/">Память – это дорого</a> появились сначала на <a href="https://bytemag.ru">Byte/RE</a>.</p>
]]></description>
		
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Тысяча слоев для памяти NAND – не предел</title>
		<link>https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/</link>
					<comments>https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[Максим Белоус]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 13 Jun 2024 11:36:21 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Память и накопители]]></category>
		<category><![CDATA[Micron]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Electronics]]></category>
		<category><![CDATA[SK Hynix]]></category>
		<category><![CDATA[Память V-NAND]]></category>
		<category><![CDATA[Флэш-память (Энергонезависимая ROM, NAND)]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://bytemag.ru/?p=34335</guid>

					<description><![CDATA[<div style="margin-bottom:20px;"><img width="495" height="462" src="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/06/3dnand.png" class="attachment-post-thumbnail size-post-thumbnail wp-post-image" alt="3D NAND флэш-память слои" decoding="async" fetchpriority="high" srcset="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/06/3dnand.png 495w, https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/06/3dnand-300x280.png 300w" sizes="(max-width: 495px) 100vw, 495px" /></div>
<p>Для наращивания многослойности своих чипов памяти Samsung Electronics планирует применять специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния. По данным источников  в индустрии, компания работает над следующим, 10-м поколением V-NAND примерно с 430 слоями, которое должно воплотиться в коммерческих серийных продуктах в 2025 г. </p>
<p>Сообщение <a href="https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/">Тысяча слоев для памяти NAND – не предел</a> появились сначала на <a href="https://bytemag.ru">Byte/RE</a>.</p>
]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
			</item>
	</channel>
</rss>
