<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>Архивы Samsung Electronics - Byte/RE</title>
	<atom:link href="https://bytemag.ru/tag/samsung-electronics/feed/" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://bytemag.ru/tag/samsung-electronics/</link>
	<description>Byte/RE ИТ-издание</description>
	<lastBuildDate>Sun, 01 Jun 2025 11:13:33 +0000</lastBuildDate>
	<language>ru-RU</language>
	<sy:updatePeriod>
	hourly	</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>
	1	</sy:updateFrequency>
	<generator>https://wordpress.org/?v=7.0.2</generator>
	<item>
		<title>Intel проигрывает «битву при двух нанометрах»</title>
		<link>https://bytemag.ru/intel-proigryvaet-bitvu-pri-dvuh-nanometrah-41001/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[TW6bURcstk]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 29 May 2025 10:44:50 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Процессоры]]></category>
		<category><![CDATA[AMD]]></category>
		<category><![CDATA[Intel]]></category>
		<category><![CDATA[Nvidia]]></category>
		<category><![CDATA[Qualcomm]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Electronics]]></category>
		<category><![CDATA[TSMC]]></category>
		<category><![CDATA[Техпроцессы изготовления микросхем]]></category>
		<category><![CDATA[Фотолитография]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://bytemag.ru/?p=41001</guid>

					<description><![CDATA[<div style="margin-bottom:20px;"><img width="350" height="181" src="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2025/05/intel_process-350.gif" class="attachment-post-thumbnail size-post-thumbnail wp-post-image" alt="" decoding="async" fetchpriority="high" /></div>
<p>Согласно планам компании, уже в конце 2025 г. должен был начаться серийный крупномасштабный выпуск микросхем по техпроцессу «Intel 18A» (аналог «2 нм» у TSMC). Однако пока спрос внешних заказчиков на такие процессоры не слишком велик – что означает снижение выручки от контрактных производств и почти наверняка сдвиг сроков запуска в серию более миниатюрных технологических норм.</p>
<p>Сообщение <a href="https://bytemag.ru/intel-proigryvaet-bitvu-pri-dvuh-nanometrah-41001/">Intel проигрывает «битву при двух нанометрах»</a> появились сначала на <a href="https://bytemag.ru">Byte/RE</a>.</p>
]]></description>
		
		
		
			</item>
		<item>
		<title>В Китае готовы к EUV?</title>
		<link>https://bytemag.ru/v-kitae-gotovy-k-euv-39566/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[Максим Белоус]]></dc:creator>
		<pubDate>Fri, 14 Mar 2025 13:14:51 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Чипы и платы]]></category>
		<category><![CDATA[ASML]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Electronics]]></category>
		<category><![CDATA[TSMC]]></category>
		<category><![CDATA[Микроэлектроника]]></category>
		<category><![CDATA[Техпроцессы изготовления микросхем]]></category>
		<category><![CDATA[Фотолитография]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://bytemag.ru/?p=39566</guid>

					<description><![CDATA[<div style="margin-bottom:20px;"><img width="300" height="192" src="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2025/03/euv-300.jpg" class="attachment-post-thumbnail size-post-thumbnail wp-post-image" alt="" decoding="async" /></div>
<p>Отставание китайских производителей в полупроводниковой отрасли связано с тем, что из-за санкций они не могут применять EUV-литографы (излучение с длиной волны 13,5 нм) от ASML, на которых выпускаются чипы по нормам «7 нм» и менее. Но недавно появились сведения о разработке в КНР источника экстремального УФ-излучения с длиной волны около 6,7 нм, действующего по иному принципу.</p>
<p>Сообщение <a href="https://bytemag.ru/v-kitae-gotovy-k-euv-39566/">В Китае готовы к EUV?</a> появились сначала на <a href="https://bytemag.ru">Byte/RE</a>.</p>
]]></description>
		
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Цена прогресса начинает зашкаливать</title>
		<link>https://bytemag.ru/czena-progressa-nachinaet-zashkalivat-34766/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[Максим Белоус]]></dc:creator>
		<pubDate>Wed, 03 Jul 2024 14:19:31 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Чипы и платы]]></category>
		<category><![CDATA[ASML]]></category>
		<category><![CDATA[Intel]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Electronics]]></category>
		<category><![CDATA[TSMC]]></category>
		<category><![CDATA[Техпроцессы изготовления микросхем]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://bytemag.ru/?p=34766</guid>

					<description><![CDATA[<div style="margin-bottom:20px;"><img width="845" height="604" src="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2024/07/asml-huv-euv.png" class="attachment-post-thumbnail size-post-thumbnail wp-post-image" alt="asml HUV EUV" decoding="async" srcset="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2024/07/asml-huv-euv.png 845w, https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2024/07/asml-huv-euv-300x214.png 300w, https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2024/07/asml-huv-euv-768x549.png 768w" sizes="(max-width: 845px) 100vw, 845px" /></div>
<p>Фотолитографы HNA EUV, пригодные для производства СБИС по технологическим нормам ниже условного предела в 1 нм, способна создавать исключительно голландская ASML. Уже сейчас цена на эти – ожидаемые в лучшем случае к 2030 г. и даже толком не разработанные – устройства получается запредельной, речь идет по меньшей мере о 724 млн долл. за одну установку.</p>
<p>Сообщение <a href="https://bytemag.ru/czena-progressa-nachinaet-zashkalivat-34766/">Цена прогресса начинает зашкаливать</a> появились сначала на <a href="https://bytemag.ru">Byte/RE</a>.</p>
]]></description>
		
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Тысяча слоев для памяти NAND – не предел</title>
		<link>https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/</link>
					<comments>https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[Максим Белоус]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 13 Jun 2024 11:36:21 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Память и накопители]]></category>
		<category><![CDATA[Micron]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Electronics]]></category>
		<category><![CDATA[SK Hynix]]></category>
		<category><![CDATA[Память V-NAND]]></category>
		<category><![CDATA[Флэш-память (Энергонезависимая ROM, NAND)]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://bytemag.ru/?p=34335</guid>

					<description><![CDATA[<div style="margin-bottom:20px;"><img width="495" height="462" src="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/06/3dnand.png" class="attachment-post-thumbnail size-post-thumbnail wp-post-image" alt="3D NAND флэш-память слои" decoding="async" loading="lazy" srcset="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/06/3dnand.png 495w, https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/06/3dnand-300x280.png 300w" sizes="auto, (max-width: 495px) 100vw, 495px" /></div>
<p>Для наращивания многослойности своих чипов памяти Samsung Electronics планирует применять специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния. По данным источников  в индустрии, компания работает над следующим, 10-м поколением V-NAND примерно с 430 слоями, которое должно воплотиться в коммерческих серийных продуктах в 2025 г. </p>
<p>Сообщение <a href="https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/">Тысяча слоев для памяти NAND – не предел</a> появились сначала на <a href="https://bytemag.ru">Byte/RE</a>.</p>
]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://bytemag.ru/tysyacha-sloev-dlya-pamyati-nand-ne-predel-34335/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Будет ли меньше нанометров: 4-нм техпроцесс пока выгоднее 3 нм</title>
		<link>https://bytemag.ru/budet-li-menshe-nanometrov-4-nm-tehproczess-poka-vygodnee-3-nm-29951/</link>
					<comments>https://bytemag.ru/budet-li-menshe-nanometrov-4-nm-tehproczess-poka-vygodnee-3-nm-29951/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[Максим Белоус]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 16 Nov 2023 13:25:54 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Процессоры]]></category>
		<category><![CDATA[Чипы и платы]]></category>
		<category><![CDATA[AMD]]></category>
		<category><![CDATA[Apple]]></category>
		<category><![CDATA[ASML]]></category>
		<category><![CDATA[Google]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Electronics]]></category>
		<category><![CDATA[TSMC]]></category>
		<category><![CDATA[Техпроцессы изготовления микросхем]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://bytemag.ru/?p=29951</guid>

					<description><![CDATA[<div style="margin-bottom:20px;"><img width="453" height="281" src="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/11/tsmc.png" class="attachment-post-thumbnail size-post-thumbnail wp-post-image" alt="TSMC" decoding="async" loading="lazy" srcset="https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/11/tsmc.png 453w, https://bytemag.ru/wp-content/uploads/2023/11/tsmc-300x186.png 300w" sizes="auto, (max-width: 453px) 100vw, 453px" /></div>
<p>Доля выхода годных 3-нм чипов у тайваньской TSMC уже больше 60%, однако себестоимость продукта вдвое выше, чем при использовании 4-нм техпроцесса, для которого доля выхода годных микросхем – около 80% (а у прямого конкурента, Samsung Electronics, – 75%). Неудивительно, что именно с расчетом на 4-нм производственные нормы разрабатывают сегодня перспективные процессоры ведущие вендоры. </p>
<p>Сообщение <a href="https://bytemag.ru/budet-li-menshe-nanometrov-4-nm-tehproczess-poka-vygodnee-3-nm-29951/">Будет ли меньше нанометров: 4-нм техпроцесс пока выгоднее 3 нм</a> появились сначала на <a href="https://bytemag.ru">Byte/RE</a>.</p>
]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://bytemag.ru/budet-li-menshe-nanometrov-4-nm-tehproczess-poka-vygodnee-3-nm-29951/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
			</item>
	</channel>
</rss>
