Архивы SK Hynix - Byte/RE

Добавить пресс-релиз

Идеология как движущая сила ИТ-распараллеливания

Тысяча слоев для памяти NAND – не предел

HBM – оперативная память для искусственного интеллекта

NAND-память: 300 слоев – не предел

MCR – оперативная память DDR5 с улучшенным быстродействием

Чипы NAND – теперь и в 238 слоев

Память HBM: теперь в 12 слоев

SK hynix снижает обороты

Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти

LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г.