Byte/RE ИТ-издание
просмотр тегов

SK Hynix

Память HBM: теперь в 12 слоев

SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.

SK hynix снижает обороты

Компания SK hynix, южнокорейский изготовитель микросхем (прежде всего памяти различных типов), выпустила отчет за I кв. 2023 г., который оказался не самым воодушевляющим. Компания зафиксировала убыток в размере 3,4 трлн вон (около 2,5 млрд

Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти

На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?

LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г.

Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта,…