Память HBM: теперь в 12 слоев
SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.
Вход / Регистрация
Войти
Восстановить свой пароль
Пароль будет выслан Вам по электронной почте.
просмотр тегов
SK Hynix
SK hynix снижает обороты
Компания SK hynix, южнокорейский изготовитель микросхем (прежде всего памяти различных типов), выпустила отчет за I кв. 2023 г., который оказался не самым воодушевляющим. Компания зафиксировала убыток в размере 3,4 трлн вон (около 2,5 млрд…
Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти
На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?
LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г.
Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта,…