Российская технология производства микросхем 65 нм

По сообщению «НИИМЭ и Микрон», производителя микросхем и RFID-продукции, входящего в холдинг «РТИ», компания завершила разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65 нм и планирует в 2014 г. начать их серийное производство на своем заводе в Зеленограде.

Разработка технологии заняла около двух лет, и в декабре 2013 г. были получены первые работающие тестовые кристаллы. Как показали исследования, транзисторы в новых кристаллах работают в 1,5 раза быстрее, чем выполненные по 90-нм технологии, при одновременном снижении потребляемой энергии более чем вдвое.

В технологическом процессе использовалась УФ-фотолитография (излучение с длиной волны 193 нм), которая применяется для серийного производства 90-нм чипов. Для получения транзисторов по топологии 65 нм специалисты «Микрона» разработали специальные алгоритмы внесения оптической коррекции фотолитографии, провели оптимизацию плазмохимических процессов, химико-механической обработки, ионной имплантации, операций термического окисления, а также создали модели работы транзисторов и других элементов. После завершения разработки правил проектирования (PDK) и описания экспериментальных моделей работы всех элементов, предназначенных для оптимизации процесса проектирования, они будут переданы российским дизайн-центрам.

Процесс производства по технологии 65 нм совместим с основной инфраструктурой и оборудованием существующей линии по производству интегральных схем на пластинах диаметром 200 мм. А завершив в апреле нынешнего года установку дополнительного технологического и контрольно-измерительного оборудования и проведя сертификацию 65-нм процесса, «Микрон» сможет приступить к серийному производству микросхем по новым для России технологиям. В рамках технологии разработчикам будут доступны три типа транзисторов ядра с различным соотношением производительности и энергопотребления, что даст им широкие возможности в проектировании интегральных схем.

Первое изделие по 65-нм технологии планируется запустить в производство уже в апреле. Это будет универсальная память ОЗУ объемом 16 Мбайт (100 млн транзисторов), используемая в различных вычислительных системах. В дальнейшем планируется освоить в серийном производстве другие логические и аналогово-цифровые полупроводниковые приборы, в том числе с встроенной памятью: процессоры и микропроцессоры, ЦАП/АЦП, программируемая матричная логика и т.д.