Новые технологические процессы Toshiba
Корпорация Toshiba представила новый технологический процесс производства встроенной флэш-памяти на основе технологии логических ИС с проектной нормой 65 нм с энергопотреблением, пониженным по сравнению с традиционной технологией, а также процесс производства энергонезависимой памяти (NVM) с поликремниевым затвором на основе технологии логических и аналоговых ИС с проектной нормой 130 нм. Предполагается, что использование оптимального процесса для различных задач позволит Toshiba расширить спектр продуктов в таких областях, как микроконтроллеры, ИС беспроводной связи, драйверы контроллеров электродвигателей и ИС для источников питания.
На рынке Интернета вещей наблюдается устойчивый спрос на изделия с низким энергопотреблением в таких областях, как носимые устройства и оборудование для сферы здравоохранения. С учетом этого компания Toshiba освоила технологию ячеек третьего поколения SuperFlash компании Silicon Storage Technology в сочетании с собственным технологическим процессом производства логических ИС с проектной нормой 65 нм. Компания также оптимизировала ИС и производственные процессы с целью создания технологии производства логических ИС со встроенной флэш-памятью со сверхнизким энергопотреблением. Микроконтроллеры для потребительских и промышленных устройств, выполненные по этой технологии, позволяют снизить энергопотребление примерно до 60% от показателей традиционных технологий.
Вслед за первой серией микроконтроллеров компания Toshiba планирует выпустить ознакомительные образцы устройств Bluetooth Low Energy (BLE), беспроводной технологии ближнего радиуса действия, уже в 2016 финансовом году. Компания также планирует использовать процесс с проектной нормой 65 нм в производстве собственного семейства ИС беспроводной связи с низким энергопотреблением, включая NFC-контроллеры и бесконтактные карты.
Компания планирует достичь общего снижения энергопотребления систем до целевого значения 50 мкА/МГц и разработать инновационные продукты для Интернета вещей. Для решений, в которых требуется снизить стоимость, Toshiba разработала процесс производства встроенной энергонезависимой памяти (NVM), позволяющий формировать перезаписываемые ячейки (MTP) с поликремниевым затвором по технологии компании Yield Microelectronics Corporation в технологическом процессе с проектной нормой 130 нм.
Энергонезависимая память и аналоговые цепи формируются на одном кристалле, который может выполнять несколько функций, обычно реализуемых с применением многокристальной системы. Это снижает количество выводов и позволяет использовать более компактные корпуса. Использование спецификаций перезаписываемой памяти (MTP) для времени записи позволяет повысить эффективность нового процесса и ограничиться тремя или менее дополнительными операциями фотолитографии, или даже вообще отказаться от них. Используя перезаписываемую память для управления точностью выходных сигналов, Toshiba сможет расширить ассортимент продукции для сфер применения, требующих высокой точности, например ИС управления питанием.
Поставки ознакомительных образцов 130 нм энергонезависимой памяти (NVM) и 65 нм флэш-памяти запланированы на IV квартал 2015 г. и II квартал 2016 г. соответственно.