Сдвоенные полевые МОП-транзисторы Toshiba для зарядки мобильных устройств

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) начала выпуск нового сдвоенного полевого МОП-транзистора SSM6N58NU с N-каналом малого сопротивления для приложений управления питанием в мобильных устройствах – смартфонах, планшетах и ноутбуках.

По мере роста емкости батарей мобильных устройств для их зарядки требуются устройства, поддерживающие повышенные токи зарядки и периодичность, которые позволили бы минимизировать время зарядки. SSM6N58NU отвечает этим требованиям, обладая наибольшим постоянным током стока (ID), равным 4 A, и наибольшим импульсным током стока (IDP), равным 10 A. Благодаря значительному снижению заряда затвора и емкости полевого МОП-транзистора достигается также быстрое переключение.

Полевой МОП-транзистор с N-каналом обеспечивает эффективность и скорости коммутации за счет конструкции, которая минимизирует сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) и входную емкость (CISS). Входная емкость снижена до 129 пФ, тогда как RDS(ON) составляет 67 мОм при VGS = 4,5 В. Этим обеспечиваются низкие потери и высокое быстродействие вместе со временем переключения в открытое состояние (ton) 26 нс и временем переключения в закрытое состояние (toff) 9 нс. Низкий заряд затвора Qg = 1,8 нК (при ID = 4 A) значительно сокращает рассеяние по переменному току на частоте 3 МГц, обеспечивая возможность применения в преобразователях постоянного тока. Независимая конфигурация полевого МОП-транзистора и высокие уровни защиты от электростатического разряда, достигающие более 2 кВ, также позволяют применять транзистор в цепях защиты батарей.

SSM6N58NU поставляется в корпусе UDFN6 для поверхностного монтажа; ему требуется участок платы всего 2х2 мм при высоте корпуса всего 0,75 мм. Благодаря плоскому телу кристаллической структуры этот корпус предлагает рассеиваемую мощность 2 Вт и способен выдерживать температуры канала вплоть до 150°C.