Компанию Nvidia, долго доминировавшую среди ИТ-разработчиков, которые выиграли от хайпа вокруг ИИ, теперь начинают догонять другие разработчики чипов. Фокус внимания заказчиков ИИ-серверов все более смещается в сторону других микросхем: ЦПУ, оперативной памяти, накопителей SSD и HDD, средств высокоскоростных соединений.

Сообщение Смена «железного» караула в ИИ-отрасли появились сначала на Byte/RE.

Прогноз роста цен на память NAND, сделанный экспертами в середине января, уже требует корректировки – представители Samsung уведомили заказчиков о новом пересмотре цен в I квартале. Но производители чипов NAND вовсе не намерены наращивать их выпуск, чтобы восполнить разрыв между спросом и предложением.

Сообщение Цены на DRAM удвоятся, да и NAND не отстанет появились сначала на Byte/RE.

Сообщение Мир скупает полупроводники появились сначала на Byte/RE.

В условиях, когда ограничения на поставки в материковый Китай как самих передовых ИТ-продуктов, так и фотолитографических машин для их производства становятся все более жесткими, в КНР находят способы преодолевать искусственно навязываемое ей отставание. В результате две ветви развития мировой ИТ-отрасли – китайская и американоцентричная – все сильнее будут расходиться друг с другом.

Сообщение Идеология как движущая сила ИТ-распараллеливания появились сначала на Byte/RE.

Для наращивания многослойности своих чипов памяти Samsung Electronics планирует применять специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния. По данным источников в индустрии, компания работает над следующим, 10-м поколением V-NAND примерно с 430 слоями, которое должно воплотиться в коммерческих серийных продуктах в 2025 г.

Сообщение Тысяча слоев для памяти NAND – не предел появились сначала на Byte/RE.

Технология памяти High Bandwidth Memory значительно увеличивает полосу пропускания по сравнению с оперативной памятью DDR, обеспечивая тем самым потребности приложений искусственного интеллекта. Сегодня на подходе уже расширенная версия третьего поколения HBM, известная как HBM3E, – о завершении ее разработки объявила компания SK hynix.

Сообщение HBM – оперативная память для искусственного интеллекта появились сначала на Byte/RE.

Samsung объявила о готовности уже в начале 2024 г. приступить к серийному выпуску чипов памяти с числом слоев 300 и более. Речь идет о 9-м поколении технологии V-NAND, разработка которого ведется с августа текущего года.

Сообщение NAND-память: 300 слоев – не предел появились сначала на Byte/RE.

Технология MCR, разработанная совместно Intel и корейской SK hynix, обеспечивает одновременное использование обоих рангов памяти, что удваивает объем извлекаемых из модуля памяти данных.

Сообщение MCR – оперативная память DDR5 с улучшенным быстродействием появились сначала на Byte/RE.

SK hynix начинает серийное производство флэш-памяти 3D-NAND с 238 слоями в каждой микросхеме вместо 176, что обеспечивает рост производственной эффективности и снижает издержки.

Сообщение Чипы NAND – теперь и в 238 слоев появились сначала на Byte/RE.

SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.

Сообщение Память HBM: теперь в 12 слоев появились сначала на Byte/RE.

Сообщение SK hynix снижает обороты появились сначала на Byte/RE.

На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?

Сообщение Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти появились сначала на Byte/RE.

Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта, и сверхнизкое энергопотребление.

Сообщение LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г. появились сначала на Byte/RE.