LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г.
Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта, и сверхнизкое энергопотребление.
Южнокорейская SK hynix объявила о завершении разработки микросхем оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo (LPDDR5T). Номинальная плотность потока данных при обмене системы с отдельным чипом такой памяти составляет 9,6 Гбит/с, что на 13% превосходит достижение прежней субверсии данного стандарта, LPDDR5X, представленной всего лишь в ноябре 2022 г.
Вторым, помимо производительности, достоинством нового подтипа памяти выступает ее сверхнизкое энергопотребление: рабочее напряжение LPDDR5T находится в диапазоне 1,01–1,12 В.
Изготавливать микросхемы планируют с применением 10-нм техпроцесса четвертого поколения. Ради еще большего повышения производительности микросхемы LPDDR5T предполагается устанавливать в многочиповых параллельных сборках (multi-chip set) суммарной емкостью 16 Гбайт, обеспечивающих перенос данных со скоростью 77 Гбайт/с, что наверняка оценят разработчики сверхтребовательных к подсистеме ОЗУ приложений из сфер машинного обучения, виртуальной/дополненной реальности и т. п.
Серийное производство памяти LPDDR5T планируется начать во второй половине текущего года, а первые укомплектованные ею модели смартфонов и иных гаджетов наверняка начнут появляться в рознице ближе к сезону рождественских распродаж.