Новая технология производства памяти NAND

Корпорация Intel и компания Micron Technology представили новую технологию производства NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных. В основе этой технологии, названной 3bpc NAND, лежит 34-нм процесс; она предназначена для изготовления чипов памяти, которые применяются в устройствах хранения данных – картах памяти и твердотельных накопителях (SSD).

Новая технология была разработана и запущена в производство IM Flash Technologies (IMFT) – совместным предприятием Intel и Micron Technology. Благодаря возможности записи трех битов данных в каждую ячейку NAND-памяти компаниям удалось добиться рекордного повышения эффективности затрат на производство 32-Гбит чипов. Кроме того, выпускаемые на базе данной технологии микросхемы памяти – самые миниатюрные на рынке: они имеют площадь 126 кв. мм. В настоящее время Micron поставляет образцы новых микросхем для тестирования, а массовое производство намечено на IV квартал 2009 г.

Разработка 3bpc NAND — это важный этап на пути стратегического развития отрасли, поскольку новые микросхемы отвечают современным потребностям ключевых сегментов рынка и способствуют прогрессу в области миниатюризации устройств.