Память DDR4 от Samsung – в серийном производстве

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства самой современной памяти DDR4 для корпоративных серверов в ЦОД нового поколения.

Быстрый выход на рынок устройств 4Gb DDR4, в производстве которых используется технологический процесс класса 20 нм, обеспечит спрос на модули памяти 16 и 32 Гбайт. Примерно такая же ситуация наблюдается для традиционной памяти DRAM, где все еще распространены модули 8 Гбайт, созданные на базе технологического процесса класса 30 нм.

Как полагают в Samsung, внедрение ультрабыстрой памяти DDR4 в серверных системах нового поколения станет стимулом перехода к более продвинутым премиум-решениям памяти в корпоративном секторе. Ранее в этом году компания выпустила модули памяти DDR3 16 Гбайт и сейчас продолжает расширять премиум-сегмент серверного рынка посредством памяти 32 Гбайт DDR4.

В корпоративных серверах нового поколения использование более производительных модулей памяти DRAM позволяет повысить общий уровень системной производительности и снизить общее энергопотребление. Благодаря раннему внедрению технологий памяти DDR4 производители оборудования смогут минимизировать эксплуатационные расходы и нарастить производительность.

Память 4Gb DDR4 обеспечивает самую высокую скорость передачи данных DRAM – 2 667 Мбит/с, что в 1,25 раза больше по сравнению с памятью DDR3 класса 20 нм, и при этом удалось снизить энергопотребление более чем на 30%.

С Samsung DRAM класса 20 нм – самому производительному и самому маленькому чипу памяти 4Gb DRAM, компания сейчас может предложить обширную линейку продуктов для различных устройств: от серверов до мобильных устройств.

Samsung также продолжает стимулировать разработку устройств и решений Green Memory нового поколения на ИТ-рынках. Используя инновационные подходы к разработке, направленные на создание систем (systems), решений (solutions) и ПО (software) (система «Три S»), компания стремится продвигать свою стратегию разработки экологичной памяти.