Память DDR5 от Samsung емкостью 512 Гбайт

Компания Samsung Electronics представила модуль DDR5 емкостью 512 Гбайт на базе технологии High-K Metal Gate (HKMG). Производительность DDR5 более чем в два раза выше, чем у DDR4, что обеспечивает пропускную способность до 7200 Мбит/с. Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, связанных с высокопроизводительными вычислениями, ИИ, машинным обучением и анализов данных.

В DDR5 от Samsung будет использоваться технология HKMG, которая традиционно применяется в логических полупроводниках и была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 г. При сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Благодаря замене изолятора на материал HKMG память DDR5 от Samsung сокращает утечки и способна обеспечить более высокую производительность. Новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает ее особенно подходящей для ЦОД, где важна энергоэффективность.

Используя технологию вертикальных межсоединений (through-silicon via, TSV), память Samsung DDR5 объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 Гбайт, обеспечивая максимальную емкость 512 Гбайт. Технология TSV впервые была задействована в DRAM в 2014 г., когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 Гбайт.