Первые модули LPDDR3 DRAM по технологии 30 нм от Samsung

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первой в отрасли монолитной памяти 4 Гбайт LPDDR3 с использованием технологического процесса класса 30 нм для мобильных приложений, таких как смартфоны и планшетные ПК. Память LPDDR3 DRAM необходима, чтобы поддерживать более быстрые процессоры, дисплеи высокого разрешения и графику 3D в мобильных устройствах следующего поколения премиум-класса.

Новые модули памяти LPDDR3 DRAM 4 Гбайт могут передавать данные со скоростью до 1600 Мбит/с, что приблизительно в 1,5 раза превосходит показатели текущей наиболее производительной в отрасли памяти LPDDR2 (обеспечивает скорость 1066 Мбит/с). Новый компонент также потребляет на 20% меньше электроэнергии по сравнению с предшественником.

Кроме того, объединяя в стек два чипа по 4 Гбайт, Samsung может использовать один пакет 1 Гбайт LPDDR3, который обеспечивает скорость передачи данных до 12,8 Гбайт/с.

Начиная со следующего квартала, Samsung предложит образцы чипов LPDDR3 4 Гбайт ключевым поставщикам мобильных устройств. Ожидается, что такие чипы будут широко использоваться в следующем году в продвинутых мобильных устройствах, включая смартфоны и планшетные ПК нового поколения.

Чтобы удовлетворить потребность в решениях мобильной памяти более высокой плотности, которые способны обрабатывать большие объемы данных, максимальный объем мобильной памяти DRAM в мобильных устройствах премиум-класса вырастет с 1 Гбайт (8 Гбит) до 2 Гбайт (16 Гбит) к началу следующего года. Такая плотность станет возможной за счет объединения в один стек четырех чипов LPDDR3 4 Гбайт.

По данным исследования IHS iSuppli, рынок памяти LPDDR3 DRAM резко вырастет, начиная с 2013 г. Samsung предполагает готовить рынок путем серийного производства дополнительных компонентов в 2012 г., что будет способствовать более быстрому внедрению решений мобильной памяти DRAM премиум-класса во всей отрасли мобильных электронных устройств.