Первый модуль 20-нм памяти NAND 128 Гбит

Компании Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нм NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 Гбит. Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.

Разработанный IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron, это первый в индустрии монолитный модуль. Он позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тбит, используя всего 8 кристаллов, удвоив емкость и производительность 20-нм модуля емкостью 64 Гбит. Новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и позволит создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нм техпроцесса стала инновационная структура ячеек. В 20-нм NAND-памяти впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.

Ка полагают Intel и Micron, объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гбит, которые компании достигнут в декабре, позволят быстро перейти к 128-Гбит модулям в 2012 г. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а к серийному производству – в первой половине 2012 г.