Силовая электроника от «Ангстрем»
Компания «Ангстрем» представила отечественную линейку изделий силовой электроники – расширенный ряд силовых IGBT- и FRD-модулей, а также IGBT/MOSFET-транзисторов (свыше 300 наиболее востребованных наименований), которые полностью производятся в России. Новая линейка включает более 300 наименований модулей и транзисторов, наиболее востребованных в ЖКХ, строительстве и общественном транспорте.
Основными потребителями силовых модулей на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также эксплуатирующие его компании. Кроме того, огромное количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ (лифтовое оборудование, системы водо- и теплоснабжения) и энергетике. Выпущенные российской компанией на гражданский рынок силовые изделия способны конкурировать с продукцией мировых производителей не только по характеристикам, но и по цене.
Два года назад специалисты АО «Ангстрем» подготовили программу замены импортных кристаллов для производства силовых модулей и транзисторов. На первом этапе были разработаны кристаллы и налажен их серийный выпуск, а на следующем – запущены полностью отечественные модули. Отличительная особенность модулей «Ангстрем»от зарубежных аналогов – повышенная устойчивость IGBT-кристаллов к короткому замыканию, а также «мягкие» характеристики переключения комплектных FRD-диодов, что обеспечивает повышенную надежность модулей.
Приступая к проектированию, разработчики ориентировались на самые массовые в применении силовые IGBT-модули. В настоящее время доступна для заказа широкая линейка модулей в диапазоне напряжений от 600 до 1700 В и максимальных токов от 75 до 600 А, имеющих различные конфигурации: полумост, чоппер, одиночный ключ. Модули выпускаются в наиболее распространенных корпусах 34 и 62 мм: MPP-34, MPP-62, MPP-62-2. Все корпуса выполнены по международным стандартам, применяемым при проектировании силовых модулей.
В планах компании на 2017 г. – постановка на конвейер новых технологических процессов для MOSFET и IGBT-кристаллов, запуск в массовое производство высоковольтных IGBT-кристаллов и модулей.