Встроенная многокристальная память Samsung для смартфонов

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства встроенной памяти на базе многокристальных пакетов (eMCP), которая предназначена для быстро растущего сегмента смартфонов начального и среднего уровня. Линейка памяти eMCP включает модули различной плотности: в данных устройствах используется память LPDDR2 DRAM, произведенная по технологическому процессу класса 30 нм, и флэш-память NAND на базе технологического процесса класса 20 нм.

Новые решения памяти обеспечат смартфонам начального и среднего уровня большую производительность и более продолжительную работу от аккумулятора, а для производителей мобильных устройств упростится процесс проектирования.

Решения встроенной памяти MCP производятся в пакетах, которые включают модули 4 Гбайт e-MMC (Embedded MultiMediaCard) на базе флэш-памяти NAND класса 20 нм для хранения данных и новые модули LPDDR2 DRAM класса 30 нм с объемом 256, 512 или 768 Мбайт.

Чип LPDDR2 DRAM класса 30 нм в новых модулях eMCP играет ключевую роль в повышении производительности смартфонов, обеспечивая скорость передачи данных 1066 Мбит/с, что в два раза превышает показатели ранее разработанной мобильной памяти DRAM (MDDR). По сравнению с памятью LPDDR2 DRAM класса 40 нм память LPDDR2 DRAM класса 30 нм имеет производительность выше приблизительно на 30% и при этом потребляет на 25% меньше электроэнергии. Кроме того, применение технологического процесса класса 30 нм повышает производительность производства кристаллов на 60% по сравнению с технологическим процессом класса 40 нм.

Как прогнозирует Samsung, поставки смартфонов будут быстро расти – с 460 млн устройств в 2011 г. до 770 млн устройств в 2013-м. Кроме того, ожидается, что поставки смартфонов премиум-класса превысят 400 млн шт., а смартфонов начального и среднего уровня – достигнут 200 млн шт.