Первый чип IBM по технологии 7 нм
Исследовательская лаборатория IBM объявила о важном достижении в разработке новейшей полупроводниковой продукции, представив первый тестовый чип, выполненный по технологии 7 нм с функциональными транзисторами. Новый чип разработан IBM в сотрудничестве с Globalfoundries, Samsung и STMicroelectronics на территории Центра исследования нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк. Технология позволит размещать на одном чипе размером с ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве устройств: от смартфонов до космических кораблей.
Для создания чипа по 7-нм технологии с более высокими показателями производительности, низким энергопотреблением и улучшенным масштабированием исследователям пришлось отказаться от традиционных методов производства полупроводниковой техники. В разработке наночипа использованы такие инновации, как кремний-германиевые (SiGe) канальные транзисторы и многоуровневая экстремальная ультрафиолетовая (ЭУФ) литография, которые были впервые применены исследовательским центром IBM Research с партнерами.
Создание новых наночипов стало результатом инвестиций объемом в $3 млрд, которые в течение пяти лет, начиная с 2014 г., компания планирует вложить в научные исследования и разработку чипов. Открытие также стало возможным благодаря партнерству IBM и правительства штата Нью-Йорк и производственному альянсу, в который вошли IBM, Globalfoundries, Samsung, STMicroelectronics и другие поставщики оборудования.
Сегодня микропроцессоры, изготовленные по технологии 22 нм и 14 нм, используются в серверах, облачных ЦОД и мобильных устройствах. Кроме того, постепенно осваивается и внедряется производство чипов по нормам 10-нм технопроцесса. IBM удалось достичь увеличения плотности размещения элементов по отношению к самому продвинутому сегодня 10-нм технологическому процессу почти на 50%. Такой результат получен за счет применения кремний-германиевых материалов для увеличения производительности транзисторов, а также за счет внедрения технологических новшеств для уменьшения шага между элементами до 30 нм и полной интеграции многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой литографии.
IBM и Политехнический институт при Университете штата Нью-Йорк ведут сотрудничество в Центре исследования нанотехнологий в Олбани, в развитие которого инвестированы миллиарды долларов. Центр полупроводниковых исследований и разработок – это долгосрочная научно-исследовательская программа стоимостью 500 млн долл., в которой участвуют мировые лидеры по производству наноэлектроники. Основное направление деятельности центра – исследование и разработка технологий компьютерных чипов будущего.