Архивы Флэш-память (Энергонезависимая ROM, NAND) - Byte/RE

Персональный компьютер как предмет роскоши

Максим Белоус — Thu, 19 Feb 2026 18:07:44 +0000

Бурное подорожание основных компонентов ПК – графических адаптеров, накопителей, памяти DRAM и NAND – заставляет производителей повышать цены и менять бизнес-стратегии. На этом фоне идея HP предложить игровые ПК в аренду, по подписке на срок от года с фиксированной ежемесячной выплатой, может оказаться вполне выгодной потребителю.

Сообщение Персональный компьютер как предмет роскоши появились сначала на Byte/RE.

Цены на DRAM удвоятся, да и NAND не отстанет

Максим Белоус — Thu, 29 Jan 2026 12:55:43 +0000

Прогноз роста цен на память NAND, сделанный экспертами в середине января, уже требует корректировки – представители Samsung уведомили заказчиков о новом пересмотре цен в I квартале. Но производители чипов NAND вовсе не намерены наращивать их выпуск, чтобы восполнить разрыв между спросом и предложением.

Сообщение Цены на DRAM удвоятся, да и NAND не отстанет появились сначала на Byte/RE.

«А ПК не нужен, родной…»

--> — Thu, 22 Jan 2026 11:19:24 +0000

Удорожание компьютерной памяти приведет не просто к росту цен на доступные прежде конфигурации ПК, но и к урезанию предлагаемых за те же деньги объемов ОЗУ и ПЗУ. И даже если проблема нехватки памяти и роста цен будет решена, возможностей ПК все равно окажется недостаточно для запуска передовых моделей генеративного ИИ, которые сегодня доступны из облака.

Сообщение «А ПК не нужен, родной…» появились сначала на Byte/RE.

SSD на петабайт не за горами

Максим Белоус — Sat, 22 Feb 2025 10:34:58 +0000

Компания Sandisk намерена запустить в серию полупроводниковый накопитель на платформе UltraQLC емкостью в 1 Пбайт – правда, без уточнения даты. До этого в текущем году Sandisk выпустит на платформе UltraQLC модели 128 Тбайт, в 2026-м – 256 Тбайт, а на 2027 г. запланирован выпуск устройства емкостью в 512 Тбайт.

Сообщение SSD на петабайт не за горами появились сначала на Byte/RE.

Жесткие диски vs твердотельные

--> — Thu, 04 Jul 2024 15:00:47 +0000

Два типа накопителей, на которых хранятся сегодня огромные объемы генерируемых в мире данных, используют совершенно разные технологии, у каждой из которых есть свои плюсы и минусы. В то же время эти технологии не являются взаимоисключающими и в современной ИТ-инфраструктуре при правильном подходе могут взаимно дополнять друга.

Сообщение Жесткие диски vs твердотельные появились сначала на Byte/RE.

Тысяча слоев для памяти NAND – не предел

Максим Белоус — Thu, 13 Jun 2024 11:36:21 +0000

Для наращивания многослойности своих чипов памяти Samsung Electronics планирует применять специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния. По данным источников в индустрии, компания работает над следующим, 10-м поколением V-NAND примерно с 430 слоями, которое должно воплотиться в коммерческих серийных продуктах в 2025 г.

Сообщение Тысяча слоев для памяти NAND – не предел появились сначала на Byte/RE.

Микросхема памяти GS Nanotech – в реестре Минпромторга

--> — Mon, 03 Jun 2024 20:59:00 +0000

Компания GS Nanotech (входит в GS Group) сообщила, что микросхема энергонезависимой памяти NOR FLASH GSN2517Y в корпусе SOP8 собственного производства компании внесена в реестр промышленной продукции, произведенной на территории РФ. До этого аналогичная микросхема GS Nanotech имела менее распространенный корпус LGA-41. С учетом потребностей рынка компания выпустила решение pin-to-pin, совместимое с иностранными аналогами, привычными российским […]

Сообщение Микросхема памяти GS Nanotech – в реестре Минпромторга появились сначала на Byte/RE.

Накопитель Transcend для встроенных систем

--> — Thu, 14 Mar 2024 15:03:43 +0000

Компания Transcend представила компактный твердотельный диск (SSD) MTS570P, предназначенный для использования во встроенных системах (серверах для граничных вычислений, устройствах интернета транспортных средств (IoV), сетевых коммутаторах, POS-терминалах). Особенность этого накопителя – технология защиты данных от нештатного отключения питания Power Loss Protection (PLP). Накопитель Transcend MTS570P выпускается в конфигурациях емкостью 128, 256 и 512 Гбайт, использует 112-уровневые […]

Сообщение Накопитель Transcend для встроенных систем появились сначала на Byte/RE.

Твердотельные диски Phison для систем видеонаблюдения

--> — Thu, 15 Feb 2024 08:08:36 +0000

Тайваньская компания Phison Electronics, производитель твердотельных накопителей NAND и контроллеров для устройств хранения, представила специализированные диски SSD, предназначенные для систем видеонаблюдения. Накопители Phison S12DI и S17T емкостью от 1 до 8 Тбайт обеспечивают круглосуточную запись в высоком разрешении видео с камер наблюдения и работают значительно быстрее, чем традиционно используемые в системах видеонаблюдения жесткие диски. Кроме […]

Сообщение Твердотельные диски Phison для систем видеонаблюдения появились сначала на Byte/RE.

Первый образец флэш-памяти UFS 4.0 от Kioxia

Максим Белоус — Thu, 01 Feb 2024 15:21:57 +0000

Модуль полупроводникового хранилища данных, выполненный по новейшему стандарту Universal Flash Storage версии 4.0, имеет существенно более высокую скорость последовательного чтения и записи, чем типичные образцы устройств UFS 3.1, и предназначается в первую очередь для автомобильных систем нового поколения.

Сообщение Первый образец флэш-памяти UFS 4.0 от Kioxia появились сначала на Byte/RE.

NAND-память: 300 слоев – не предел

Максим Белоус — Thu, 26 Oct 2023 10:52:15 +0000

Samsung объявила о готовности уже в начале 2024 г. приступить к серийному выпуску чипов памяти с числом слоев 300 и более. Речь идет о 9-м поколении технологии V-NAND, разработка которого ведется с августа текущего года.

Сообщение NAND-память: 300 слоев – не предел появились сначала на Byte/RE.

«Мэйнстримный» SSD Micron для дата-центров

--> — Mon, 23 Oct 2023 10:00:11 +0000

Компания Micron Technology представила твердотельный накопитель Micron 7500 NVMe SSD, предназначенный для обслуживания развертываемых в дата-центрах типичных приложений с интенсивным обращением к СХД. Новый накопитель использует фирменную 232-уровневую флэш-память NAND и интерфейс PCIe Gen4. Согласно заявлению вендора, он обеспечивает последовательное чтение со скоростью до 7 Гбайт/с и последовательную запись со скоростью до 5.9 Гбайт/с, доступ […]

Сообщение «Мэйнстримный» SSD Micron для дата-центров появились сначала на Byte/RE.

Убьет ли флэш-память SSD гибридные массивы?

Лев Левин — Fri, 29 Sep 2023 09:11:11 +0000

Появление флэш-памяти Quad-Level Cell (QLC) может снизить стоимость хранения на SSD-накопителях до уровня ее стоимости на жестких дисках. Однако по сравнению с другими типами флэш-памяти она хуже выдерживает интенсивные операции перезаписи содержимого ячеек памяти.

Сообщение Убьет ли флэш-память SSD гибридные массивы? появились сначала на Byte/RE.

ReRAM – перспективная технология энергонезависимой памяти

Максим Белоус — Thu, 06 Jul 2023 13:28:27 +0000

По оценке аналитиков, из направлений разработки в области энергонезависимого хранения информации – технологии резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM или ReRAM), магнитной RAM (MRAM) и памяти на основе фазового перехода (PCM) – наиболее многообещающей выглядит именно ReRAM.

Сообщение ReRAM – перспективная технология энергонезависимой памяти появились сначала на Byte/RE.

Чипы NAND – теперь и в 238 слоев

Максим Белоус — Wed, 21 Jun 2023 22:09:35 +0000

SK hynix начинает серийное производство флэш-памяти 3D-NAND с 238 слоями в каждой микросхеме вместо 176, что обеспечивает рост производственной эффективности и снижает издержки.

Сообщение Чипы NAND – теперь и в 238 слоев появились сначала на Byte/RE.

Твердотельная память – теперь и для хранения «холодных» данных

Лев Левин — Mon, 13 Mar 2023 15:01:43 +0000

Четырехуровневая твердотельная память QLC NAND позволяет записать в одной ячейке NAND не три, а четыре бита, что увеличивает плотность записи и снижает стоимость хранения данных. Такое увеличение плотности размещения имеет свои минусы, но при хранении редко используемых данных они не столь важны.

Сообщение Твердотельная память – теперь и для хранения «холодных» данных появились сначала на Byte/RE.

Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти

Максим Белоус — Thu, 09 Mar 2023 14:04:57 +0000

На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?

Сообщение Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти появились сначала на Byte/RE.

Массовое производство терабитных чипов памяти NAND

Максим Белоус — Thu, 10 Nov 2022 22:47:56 +0000

Samsung Electronics начала серийный выпуск многослойных микросхем постоянной памяти (V-NAND) 8-го поколения суммарной емкостью в 1 Тбит…

Сообщение Массовое производство терабитных чипов памяти NAND появились сначала на Byte/RE.

Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее

Максим Белоус — Mon, 31 Oct 2022 10:55:07 +0000

В планах, объявленных на Samsung Tech Day 2022, – массовое производство современных СБИС (в частности, пятого поколения DRAM класса 10 нм), серийное производство сверхмногослойных микросхем NAND с 1 тыс. слоев многоуровневых ячеек и интегрированные полупроводниковые решения.

Сообщение Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее появились сначала на Byte/RE.