Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее
В планах, объявленных на Samsung Tech Day 2022, – массовое производство современных СБИС (в частности, пятого поколения DRAM класса 10 нм), серийное производство сверхмногослойных микросхем NAND с 1 тыс. слоев многоуровневых ячеек и интегрированные полупроводниковые решения.
На компанию Samsung Electronics в прошлом году приходилось более 43% мирового производства модулей DRAM и около 34% NAND. Южнокорейский разработчик намерен упрочить свои позиции, уже в начале 2023 г. начав массовое производство самых передовых разновидностей этих СБИС – в частности, пятого поколения DRAM 10-нм класса (так называемая технологическая норма 1β). Вендор также доводит до стадии серийного производства сверхмногослойные микросхемы NAND с 1 тыс. слоев многоуровневых ячеек, а к 2030 г. собирается представить интегрированные полупроводниковые решения.
Все эти объявления были сделаны в ходе очередного ежегодного мероприятия Samsung Tech Day 2022, прошедшего в начале октября в американском Сан-Хосе. Так, 10-нм DRAM 5-го поколения будет изготавливаться по производственным нормам 11–12 нм с применением технологии High-k Metal Gate (HKMG) и новых топологических структур, дающих возможность повысить плотность размещения полупроводниковых элементов на подложке. Первыми продуктами на основе новейшей DRAM станут предназначенные для серверов 32-Гбайт модули памяти DDR5, смартфонные LPDDR5X, а также GDDR7 для видеокарт.
На NAND-направлении Samsung Electronics занята освоением производства 512-Мбит чипов 8-го поколения V-NAND TLC. Благодаря увеличению числа слоев и миниатюризации техпроцесса серийный чип V-NAND 8-го поколения будет иметь на 42% большую удельную емкость на единицу площади, чем его непосредственный предшественник. Следующими этапами развития этих технологий станут V-NAND TLC удвоенной емкостью (1 Тбит) еще до конца текущего года, 9-е поколение V-NAND в 2024 г., а также 1000-слойная флэш-память к 2030 г.
Особое внимание южнокорейский ИТ-гигант будет отныне уделять разработке интегрированных микросхем, сочетающих в едином корпусе (и в ряде случаев – на базе одного и того же полупроводникового чипа) собственно систему-на-кристалле (процессор, память, контроллер памяти), оптический датчик и дисплейный адаптер. Такие многофункциональные, крайне компактные и энергоэффективные микросхемы станут серьезным подспорьем для создателей элементов Интернета вещей, умного дома/офиса/завода/города и иных перспективных приложений.