Samsung Electronics

Фотолитографы HNA EUV, пригодные для производства СБИС по технологическим нормам ниже условного предела в 1 нм, способна создавать исключительно голландская ASML. Уже сейчас цена на эти – ожидаемые в лучшем случае к 2030 г. и даже толком не…

Для наращивания многослойности своих чипов памяти Samsung Electronics планирует применять специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния. По данным источников в индустрии, компания работает над следующим, 10-м…

Доля выхода годных 3-нм чипов у тайваньской TSMC уже больше 60%, однако себестоимость продукта вдвое выше, чем при использовании 4-нм техпроцесса, для которого доля выхода годных микросхем – около 80% (а у прямого конкурента, Samsung…