Массовое производство терабитных чипов памяти NAND

В ходе ноябрьского мероприятия Flash Memory Summit 2022 представители Samsung Electronics сообщили, что компания начала серийный выпуск многослойных микросхем постоянной памяти (V-NAND) 8-го поколения на основе трехуровневых ячеек (TLC) суммарной емкостью в 1 Тбит. На момент объявления эти чипы оказались как самыми емкими среди находящихся в массовом производстве, так и имеющими наиболее высокую плотность хранения данных на единицу занимаемой СБИС площади.

Потребность в увеличении объемов хранения данных сегодня чрезвычайно велика, в особенности для серверных и облачных приложений. И хотя магнитные шпиндельные накопители пока остаются наиболее привлекательными по цене за 1 Тбайт размещаемых на них данных, новейшая разработка Samsung Electronics позволит еще сильнее сократить и так уже сравнительно небольшой ценовой разрыв SSD с магнитными дисками – притом обеспечивая заказчикам заметно более низкую задержку при обращениях к хранилищу данных и достаточно высокую физическую плотность хранения информации (как раз за счет увеличения емкости единичного модуля NAND без расширения занимаемой им площади).

Отвечая спецификациям самой последней версии интерфейса для микросхем флэш-памяти, Toggle DDR 5.0, восьмое поколение V-NAND характеризуется предельными скоростями записи и чтения данных на уровне 2,4 Гбит/с, что на 20% больше, чем обеспечивают прямые предшественники этих чипов. Столь высокая пропускная способность позволяет применять новинки для создания накопителей с интерфейсами как наиболее актуального для практических приложений стандарта PCIe 4.0, так и следующего за ним PCIe 5.0.