Флэш-память (Энергонезависимая ROM, NAND)

Модуль полупроводникового хранилища данных, выполненный по новейшему стандарту Universal Flash Storage версии 4.0, имеет существенно более высокую скорость последовательного чтения и записи, чем типичные образцы устройств UFS 3.1, и…

Samsung объявила о готовности уже в начале 2024 г. приступить к серийному выпуску чипов памяти с числом слоев 300 и более. Речь идет о 9-м поколении технологии V-NAND, разработка которого ведется с августа текущего года.

Появление флэш-памяти Quad-Level Cell (QLC) может снизить стоимость хранения на SSD-накопителях до уровня ее стоимости на жестких дисках. Однако по сравнению с другими типами флэш-памяти она хуже выдерживает интенсивные операции перезаписи…

SK hynix начинает серийное производство флэш-памяти 3D-NAND с 238 слоями в каждой микросхеме вместо 176, что обеспечивает рост производственной эффективности и снижает издержки.

Четырехуровневая твердотельная память QLC NAND позволяет записать в одной ячейке NAND не три, а четыре бита, что увеличивает плотность записи и снижает стоимость хранения данных. Такое увеличение плотности размещения имеет свои минусы, но…

На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?

Samsung Electronics начала серийный выпуск многослойных микросхем постоянной памяти (V-NAND) 8-го поколения суммарной емкостью в 1 Тбит…