Byte/RE ИТ-издание
просмотр тегов

Флэш-память (Энергонезависимая ROM, NAND)

Твердотельные диски Phison для систем видеонаблюдения

Тайваньская компания Phison Electronics, производитель твердотельных накопителей NAND и контроллеров для устройств хранения, представила специализированные диски SSD, предназначенные для систем видеонаблюдения. Накопители Phison S12DI и

Первый образец флэш-памяти UFS 4.0 от Kioxia

Модуль полупроводникового хранилища данных, выполненный по новейшему стандарту Universal Flash Storage версии 4.0, имеет существенно более высокую скорость последовательного чтения и записи, чем типичные образцы устройств UFS 3.1, и…

NAND-память: 300 слоев – не предел

Samsung объявила о готовности уже в начале 2024 г. приступить к серийному выпуску чипов памяти с числом слоев 300 и более. Речь идет о 9-м поколении технологии V-NAND, разработка которого ведется с августа текущего года.

«Мэйнстримный» SSD Micron для дата-центров

Компания Micron Technology представила твердотельный накопитель Micron 7500 NVMe SSD, предназначенный для обслуживания развертываемых в дата-центрах типичных приложений с интенсивным обращением к СХД. Новый накопитель использует

Убьет ли флэш-память SSD гибридные массивы?

Появление флэш-памяти Quad-Level Cell (QLC) может снизить стоимость хранения на SSD-накопителях до уровня ее стоимости на жестких дисках. Однако по сравнению с другими типами флэш-памяти она хуже выдерживает интенсивные операции перезаписи…

ReRAM – перспективная технология энергонезависимой памяти

По оценке аналитиков, из направлений разработки в области энергонезависимого хранения информации – технологии резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM или ReRAM), магнитной RAM (MRAM) и памяти на основе фазового перехода (PCM) –…

Твердотельная память – теперь и для хранения «холодных» данных

Четырехуровневая твердотельная память QLC NAND позволяет записать в одной ячейке NAND не три, а четыре бита, что увеличивает плотность записи и снижает стоимость хранения данных. Такое увеличение плотности размещения имеет свои минусы, но…

Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти

На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?

Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее

В планах, объявленных на Samsung Tech Day 2022, – массовое производство современных СБИС (в частности, пятого поколения DRAM класса 10 нм), серийное производство сверхмногослойных микросхем NAND с 1 тыс. слоев многоуровневых ячеек и…