TSMC увеличивает отрыв
На тайваньскую компанию по итогам III квартала пришлось более 70% мирового рынка контрактного производства микросхем, и ее экспансию сдерживает сейчас в основном нехватка собственных производственных мощностей. А до конца 2025 г. TSMC намерена начать тестовое предсерийное производство микросхем по нормам «1,4 нм», причем на станках EUV первого поколения.
Согласно оценке Counterpoint Research, на тайваньскую TSMC по итогам III кв. 2025 г. приходится 71% мирового рынка контрактного производства микросхем в долларовом выражении, это +3% от уровня предыдущего квартала. По меньшей мере с начала 2024 г. доминирование чипмейкера неуклонно усиливалось – за счет сокращения долей как сравнительно крупных его конкурентов (Samsung Foundry, SMIC, UMC, Global Foundries), так и более мелких. Основным же фактором, сдерживающим сейчас экспансию TSMC, выступают вовсе не деятельные усилия ее соперников – но нехватка у нее самой дополнительных производственных мощностей. Все линии TSMC, пригодные для изготовления чипов по самой передовой на сегодня технологии «2 нм», уже выкуплены на весь 2026 г., причем компания одновременно с объявлением о готовности запустить новое производство подняла цены на актуальные ныне техпроцессы «3 нм». Рыночные законы в действии: монополист диктует правила.
Впрочем, и в дальнейшем конкурентам тайваньской компании вряд ли стоит рассчитывать, что та будет почивать на лаврах и даст им возможность сократить разрыв. Как сообщает местное отраслевое издание Commercial Times, TSMC до конца 2025 г. намерена начать тестовое предсерийное производство микросхем по еще более миниатюрным нормам, «1,4 нм» – правда, изготовление таких чипов станет коммерчески доступным заказчикам не ранее 2028-го. Одно из главных достоинств разрабатываемого чипмейкером способа производства таких СБИС заключается в использовании литографических станков EUV первого поколения – а не более современных машин High-NA EUV, которые голландская ASML предлагает ныне по почти вдвое (до 400 млн долл. за единицу) выросшей цене. НИОКР, необходимые для обеспечения устойчиво высокого выхода годных «1,4-нм» микросхем на EUV-станках, рассчитанных исходно на техпроцессы «5 нм» и «3 нм», довольно затратны и требуют высочайших технологических и инженерных компетенций. Зато себестоимость обработки одной пластины-заготовки окажется ниже, чем при использовании High-NA EUV, что опять-таки обеспечит TSMC фору по части привлекательности для заказчиков и роста нормы прибыли.
Политики, однако, могут серьезно нарушить расчеты коммерсантов – так, в свете недавно введенных КНР мер экспортного контроля в отношении редкоземельных элементов и изделий из них под угрозой оказывается сама возможность TSMC свободно продавать готовые чипы американским заказчикам. Поскольку независимым государством Тайвань не признают даже США, а сырье для изготовления полупроводников он получает в основном из материкового Китая – где производят до 90% мирового оборота готовых редкоземельных элементов, – обеспечить исполнение такого запрета технически не составит труда.
В настоящее время, правда, материалы именно для производства полупроводников экспортному контролю не подлежат, но нет никакой уверенности, что на следующем витке противостояния двух экономических сверхдержав дело не дойдет и до этого. Тем важнее для американских fabless-разработчиков – Apple, AMD, Nvidia, Qualcomm и других – оказывается выход Intel на уверенные объемы устойчивого контрактного производства чипов, уже по своим собственным передовым технологиям, пусть и с опорой на дорогостоящие литографы High-NA EUV. Но ведь альтернативы ее фабрикам в Западном полушарии попросту нет.