Китайская микроэлектронная отрасль: путь к лидерству

Совсем недавно казалось, что драконовские ограничения, вводившиеся против высокотехнологичных производств в КНР тремя администрациями США подряд (начиная с первой каденции Дональда Трампа), если не отбросят полупроводниковую индустрию Поднебесной далеко в прошлое, то по меньшей мере затормозят ее развитие на несколько десятилетий. Действительно, запреты сперва на EUV-фотолитографы (способные изготавливать микросхемы по технологическим нормам «5 нм» и менее), а затем и на DUV-машины предшествующего поколения, и на специальное метрологическое/контрольное оборудование, и даже на ПО для проектирования СБИС выглядели нешуточно. И трудно было представить еще в 2023 г., что материковый Китай сможет вскоре освоить современные микропроцессорные технологии.

Однако в середине 2025-го ситуация уже не столь очевидна: КНР самостоятельно освоила разработку проектировочного ПО, справляется с изготовлением «7-нм» микросхем на исходно не предназначавшемся для того оборудовании (пусть и с изрядным процентом негодных чипов на выходе с каждой пластины) и активно развивает формально вспомогательные, но базовые для полупроводниковой индустрии направления – производство необходимых химикатов, компонентов, оптических систем, генераторов когенернтного коротковолнового излучения и т. д. Согласно оценке Yole Group, на данный момент материковый Китай уступает по суммарному потенциалу микропроцессорного производства (исчисляемому по количеству обрабатываемых условных пластин-заготовок, без учета того, какие именно техпроцессы применяются) лишь Южной Корее и Тайваню – и обгоняет в том числе и США. Южная же Корея первенствует в этом зачете по той причине, что именно там изготавливают основную массу потребляемых в мире чипов памяти DRAM и NAND.

Более того, уже через пять лет, к 2030 г., утверждают аналитики, КНР станет мировым лидером в этой табели о рангах, выпуская 30% глобального объема полупроводников. Правительство страны взяло четкий курс на самодостаточность в этой отрасли, и первыми под замену пойдут как раз выпускаемые по зрелым технологическим процессам импортные микросхемы: импортозаместить их выйдет быстрее и проще. В ходе же освоения зрелых производственных норм китайские инженеры и программисты наберутся опыта, необходимого для качественного скачка – перехода от DUV- к EUV-фотолитографии с выходом на технологический рубеж «3 нм». В настоящее время, по оценке экспертов, ведущий чипмейкер КНР, компания SMIC, успешно литографирует «6-нм» чипы и продвигается в сторону «5-нм» производственной нормы, отставая таким образом от глобального передовика, тайваньской TSMC, примерно на десятилетие.

Но разрыв этот, уверены аналитики, Китаю удастся преодолеть значительно быстрее – в частности как раз потому, что именно там сосредоточена бóльшая часть производственных линий, работающих по нормам «28 нм» и более. От их продукции, включая всевозможные промышленные, автомобильные и специализированные контроллеры, в критической степени зависит, к примеру, рынок Евросоюза. Воссоздавать в той же Европе или США «28-нм» производственные линии с экономической точки зрения крайне невыгодно, – это ослабит поток инвестиций, направляемых на разработку передовых технологических норм, «2 нм» и менее; плюс из-за низкой маржинальности такого рода контроллеров расходы на постройку выпускающих их фабрик не окупятся и за несколько десятилетий.

В то же время запрет на поставки в КНР современных чипов ущемляет интересы чипмейкеров западных и союзных им стран, лишая их огромного китайского рынка, что становится дополнительным бременем для продолжения их перспективных разработок. В итоге темпы прогресса полупроводниковых технологий в США, ЕС, Южной Корее и на Тайване снижаются, тогда как китайские микроэлектронщики нарабатывают опыт и наращивают усилия. И это как раз позволяет говорить о том, что у полупроводниковой индустрии Поднебесной есть  вполне реальная перспектива догнать и перегнать конкурентов.