Byte/RE ИТ-издание

Улучшенная износостойкость твердотельной памяти Inspur

Компания Inspur Electronic представила новое поколение своих твердотельных накопителей корпоративного класса NVMe SSD. Как заявляет вендор, благодаря тому, что в этих накопителях используется усовершенствованная технология NAND, жизненный цикл флэш-памяти увеличивается на 40%. А за счет применения интерконнектов PCIe 4.0 ultra-wide channel и интерфейса ZNS (Zoned Namespace) обеспечена повышенная производительность ввода-вывода одного накопителя – на уровне 1,6 млн IOPS.

Кроме того, в новых накопителях Inspur усовершенствованы операции чтения данных из флэш-памяти, благодаря чему улучшилась ее надежность. Средняя наработка на отказ (MTBF) теперь составляет 2,6 млн часов.

Источник: www.itbestsellers.ru.

Вам также могут понравиться