Тысяча слоев для памяти NAND – не предел

Специалисты Samsung Electronics еще в 2022 г. утверждали, что к исходу десятилетия число слоев с ячейками памяти на передовых микросхемах NAND превысит 1000. Ближе к середине 2024-го стало яснее, каким именно образом микроэлектронщики намерены двигаться в этом направлении: южнокорейская компания планирует применять для наращивания многослойности своих чипов памяти специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния.

К настоящему времени в арсенале Samsung Electronics имеются микросхемы флэш-памяти V-NAND с трехуровневыми ячейками (TLC) 9-го поколения, у которых число слоев почти доходит до 300, обеспечивающие емкость хранения до 1 Тбит на каждый чип.

Источники в полупроводниковой индустрии подтверждают, что компания работает над следующим, 10-м поколением V-NAND – уже примерно с 430 слоями, которое должно воплотиться в коммерческих серийных продуктах в 2025 г.

Другие лидеры этого направления, Micron и SK Hynix, также вплотную подбираются к 400-слойной отметке, так что с учетом успешных демонстраций прототипов новых ферромагнитных материалов вряд ли стоит сомневаться в достижимости поставленной разработчиками цели – достичь 1000 слоев ячеек NAND-памяти в серийных миросхемах к 2030 г.

Площадь, занимаемая таким чипом, при увеличении количества слоев в нем остается примерно постоянной, а высота увеличивается незначительно из-за ничтожности толщины каждого слоя. Поэтому переход на более емкие микросхемы означает возможность наращивать итоговую емкость конечного продукта – SSD или иного полупроводникового хранилища данных – без заметной корректировки его физических габаритов. А это особенно важно с точки зрения нынешнего бума ИИ-технологий, из-за которого стремительно растут требования к подсистеме постоянной памяти, доступной в стандартных по размерам серверах.