Флэш-память BENAND 8 Гбайт от Toshiba
Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила линейку 24-нм флэш-памяти BENAND с одноуровневыми ячейками (SLC) NAND и встроенным 8-разрядным механизмом коррекции ошибок (ECC). Новые модули SLC BENAND объемом 8 Гбайт позволяют производителям применять 24-нм технологию в устройствах, рассчитанных на использование модулей 4xnm NAND. Это увеличивает срок службы бытовой электроники, мультимедийных устройств, интеллектуальных измерительных приборов и систем освещения, а также промышленного оборудования.
Модуль BENAND освобождает главный процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, позволяя конструкторам использовать технологию флэш-памяти NAND. Для облегчения перехода в новом модуле BENAND такие элементы, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и корпус, соответствуют устаревшим модулям 4xnm SLC NAND.
Цена изготавливаемой с использованием современных функциональных узлов флэш-памяти NAND снижена, но ячейки уменьшенного размера более уязвимы перед нагрузками при программировании и очистке. Вследствие этого для поддержания желаемых уровней надежности требуется более сложная коррекция ошибок. Например, для модуля малой плотности 4xnm SLC NAND требуется 1-разрядный механизм коррекции ошибок (ECC), а для модуля 2xnm SLC NAND — 8-разрядный. Традиционно механизм коррекции ошибок встраивался в главные контроллеры, что делало переход на новые, более дешевые модули NAND дорогостоящей задачей, так как для достижения требуемого уровня коррекции ошибок приходилось менять главный процессор. Модули BENAND изменяют эту парадигму благодаря перемещению механизма коррекции ошибок (ECC) в микросхему NAND. Это позволяет использовать устаревшие контроллеры с технологией NAND, снижая затраты и сокращая стоимость разработки систем при сохранении высокой надежности памяти SLC NAND.
Выпуск модуля объемом 8 Гбайт расширяет диапазон линейки устройств BENAND, доступных в виде корпусов TSOP и BGA и рассчитанных на использование при промышленных и бытовых рабочих температурах.