Intel и Micron переходят на 20 нм

Компании Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20-нм технологического процесса при производстве памяти NAND. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 Гбайт в виде миниатюрных модулей, позволяющих хранить огромный объем данных, включая музыку, видеоролики, электронные книги, в смартфонах и планшетах. Эти чипы будут применяться также в твердотельных накопителях SSD.

Микросхемы емкостью 8 Гбайт, выполненные на базе технологии 20 нм, имеют площадь всего 118 кв. мм, занимая на 30–40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами той же емкости на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала.

Новые чипы выпускаются IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron. Уменьшение нормы техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации: этот шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения. При этом 20-нм процесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 Гбайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 Гбайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше почтовой марки.