Память HBM: теперь в 12 слоев
SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.
При высокопроизводительных вычислениях, будь то отрисовка динамичных сцен в 3D-играх с высокой частотой смены кадров или решение задач машинного обучения, необходимо минимизировать задержки, неизбежно возникающие в рамках классической архитектуры х86 при пересылке данных между узлами их обработки (процессорами) и временного хранения (оперативной памятью). Именно по этой причине современные графические адаптеры снабжаются видеопамятью всё больщего объема, физически размещенной недалеко от графического процессора, – что сводит латентность таких вычислений к минимуму.
Однако чем больше микросхем VRAM приходится на один ГП, тем сложнее размещать их на монтажной плате таким образом, чтобы протяженность шины данных между видеопамятью и ГП была минимальной. Хорошим выходом в этой ситуации становится память с высокой пропускной способностью (high bandwidth memory, HBM), представляющая собой многослойную упаковку плоских полупроводниковых кристаллов DRAM в едином корпусе. Такая СБИС занимает на плате графического адаптера немногим больше места, чем обычный модуль видеопамяти, но уже за счет одной только меньшей протяженности шины данных обеспечивает заметный прирост производительности в существенно многопоточных вычислениях, включая особенно актуальные сегодня ИИ-приложения.
Одним из пионеров в разработке и внедрении HBM стала в 2013 г. южнокорейская компания SK hynix, до сих пор продолжающая активно работать в этом направлении. Так, в конце апреля вендор объявил о создании первой на рынке 12-слойной памяти четвертого поколения, получившей название HBM3 (поскольку после HBM2 была еще представлена более бюджетная HBM2E). Одна упаковка такой VRAM может предоставить сопряженному с ней процессору до 24 Гбайт видеопамяти – на 50% больше, чем предыдущее поколение. При этом толщина единичного кристалла DRAM уменьшена на 40% относительно прежней, что позволило сохранить физическую толщину новых 24-Гбайт модулей такой же, как у предшествующих, с 16 Гбайт видеопамяти.
Как заявила SK hynix, производство HBM3 выйдет на намеченный темп уже в июне, а со второй половины текущего года начнутся ее серийные поставки партнерам.