Память HBM: теперь в 12 слоев
SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.
Вход / Регистрация
Войти
Восстановить свой пароль
Пароль будет выслан Вам по электронной почте.
просмотр тегов
Модули памяти ОЗУ (RAM, DDR)
SK hynix снижает обороты
Компания SK hynix, южнокорейский изготовитель микросхем (прежде всего памяти различных типов), выпустила отчет за I кв. 2023 г., который оказался не самым воодушевляющим. Компания зафиксировала убыток в размере 3,4 трлн вон (около 2,5 млрд…
LPDDR5T – самая быстрая мобильная память 2023 г.
Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта,…
The future has CAMM, или Новая память для ноутбуков
Международная группа по стандартизации JEDEC намерена вскоре обнародовать новую спецификацию форм-фактора модуля ОЗУ для ноутбуков – CAMM (Compression Attached Memory Module).
Память DDR5 от Micron для серверов на базе новых AMD Epyc
Компания Micron Technology, одновременно с анонсом AMD 4-го поколения серверных процессоров Epyc 9004 (Genoa), объявила о доступности для заказа модулей оперативной памяти DDR5, сертифицированных AMD для использования в системах на базе ее…
Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее
В планах, объявленных на Samsung Tech Day 2022, – массовое производство современных СБИС (в частности, пятого поколения DRAM класса 10 нм), серийное производство сверхмногослойных микросхем NAND с 1 тыс. слоев многоуровневых ячеек и…