MCR – оперативная память DDR5 с улучшенным быстродействием
Технология MCR, разработанная совместно Intel и корейской SK hynix, обеспечивает одновременное использование обоих рангов памяти, что удваивает объем извлекаемых из модуля памяти данных.
Одним из новшеств следующего поколения серверных процессоров Intel Xeon Scalable Gen6 (кодовое название Granite Rapid s), как мы уже писали, станет возможность использовать не только оперативную память Double Data Rate 5 (DDR5), но и ее усовершенствованную версию Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая обеспечивает увеличение скорости обмена данными с 6400 до 8000 мегатрансфер в секунду (МТ/с).
Технология MCR была разработана совместно с Intel одним из ведущих производителей модулей оперативной и твердотельной памяти, корейской корпорацией SK hynix, и официально представлена в конце прошлого года. В DIMM-модулях MCR с помощью специального буфера-мультиплексора, изготовленного японской компанией Renesas, обеспечивается одновременное использование обоих рангов памяти. В стандартных модулях DDR два физических ранга работают как один модуль, поэтому центральный процессор или контроллер оперативной памяти может за один раз извлечь из них только 64 байт данных, но поскольку у MCR эти два ранга работают параллельно, то из модуля через общий для них буфер за один раз можно извлечь 128 байт данных.
Как утверждают в SK hynix, пропускная способность оперативной памяти MCR DIMM – более 8 Гбит/с, это не менее чем на 80% выше, чем у самой быстрой на сегодня серверной оперативной памяти с пропускной способностью 4,8 Гбит/с.
Компания планирует в ближайшем будущем начать массовое производство модулей MCR DIMM (по видимому, это произойдет в первом полугодии следующего года, когда Intel начнет поставки Granite Rapids) и считает, что благодаря увеличенной скорости обмена данными с оперативной памятью они будут востребованы прежде всего в компьютерных системах, используемых для высокопроизводительных вычислений. Во втором поколении MCR скорость обмена данных возрастет до 12800 МТ/с, а в третьем – до 17600 МТ/с.
По некоторым сообщениям, корпорация AMD совместно с комитетом по стандартизации твердотельной памяти JEDEC разрабатывает сейчас аналогичную технологию усовершенствованной DDR5 на основе открытых стандартов.