Модули памяти ОЗУ (RAM, DDR)

Память стандарта 2nd Gen CAMM должна обеспечить повышенную скорость передачи данных, занимая притом меньший объем в корпусах мобильных платформ. Площадь же текстолитовой основы CAMM2 может быть довольно большой, что позволяет задействовать…

Технология MCR, разработанная совместно Intel и корейской SK hynix, обеспечивает одновременное использование обоих рангов памяти, что удваивает объем извлекаемых из модуля памяти данных.

SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.

Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта,…

Международная группа по стандартизации JEDEC намерена вскоре обнародовать новую спецификацию форм-фактора модуля ОЗУ для ноутбуков – CAMM (Compression Attached Memory Module).