Технология SAS RAID-on-Chip 12 Гбит/с от LSI

Корпорация LSI продемонстрировала на Intel Developer Forum в Сан-Франциско свою технологию следующего поколения 12 Гбит/с SAS RAID-on-Chip (ROC). Демонстрация показала, как один 8-портовый 12-Гбит/с SAS ROC IC достигает 1,2 млн IOPS, приводя в действие небольшой блок последовательных чтений/записей в конфигурации СХД с прямым подключением PCI Express 2.0 и восемью 2,5-дюйм дисками 6 Гбит/с Seagate SAS.

LSI SAS ROC объединяет в себе последние достижения в SAS и технологию PCI Express, а также аппаратные ускорители LSI, и создан для обеспечения высокой производительности ввода-вывода, твердотельных накопителей уровня enterprise и серверных платформ, основанных на характеристиках PCI Express 3.0.

Основанный на архитектуре LSI SAS четвертого поколения, 12-Гбит/с SAS ROC обеспечивает на 45% увеличенную пропускную способность ввода-вывода по сравнению с предыдущими поколениями 6-Гбит/с SAS ROC. Для достижения одного миллиона IOPS с помощью продукта предыдущего поколения потребуется множество устройств SAS ROC и двенадцать жестких дисков. Интеграция 12-Гбит/с SAS ROC в следующее поколение систем, основанных на PCI Express 3.0, будет обеспечивать еще более высокие уровни производительности.

Согласно отраслевым оценкам адаптация 12-Гбит/с SAS на рынке начнется с выпуска отдельных компонентов и устройств и будет набирать обороты, когда OEM приступят к массовым поставкам серверов и СХД 12 Гбит/с SAS. Эти поставки планируются на начало 2013 г., а системы внешнего хранения данных будут доступны к середине-концу 2013 г.