Новинки флэш-технологии Samsung

Компания Samsung Electronics на конференции Flash Memory Summit 2016 (FMS) объявила о выпуске прототипов решений флэш-памяти нового поколения. Компания продемонстрировала память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емкостью корпоративного класса, а также накопитель Z-SSD — новое решение с уровнем производительности флэш-накопителя.

64-слойная флэш-память V-NAND (трехуровневые ячейки) 4-го поколения позволяет расширить возможности памяти NAND с точки зрения масштабирования, производительности и объемов накопителей. Память V-NAND 4-го поколения Samsung включает на 30% больше слоев матриц элементов по сравнению с предшествующей моделью. Благодаря 64 слоям матриц элементов в новой памяти V-NAND можно увеличить плотность на кристалл до уровня 512 Гбайт (по утверждению производителя, лучшего в отрасли) и скорость ввода-вывода до 800 Мбит/с. Начиная с августа 2013 г. компания Samsung уже успела представить три поколения «первых в отрасли» продуктов V-NAND с 24, 32 и 48 вертикальными слоями матриц элементов. Компания планирует начать поставки новой продукции в IV квартале текущего года.

Samsung также представила твердотельный диск SAS 32 Тбайт для корпоративных систем хранения данных. Последняя модель твердотельного накопителя Serial Attached SCSI (SAS) от Samsung — это самый крупный в мире диск на основе 512-Гбит чипов V-NAND. В целом 512 чипов V-NAND объединены в 16 слоев и образуют таким образом пакет емкостью 1 Тбайт. 32-Тбайт твердотельный диск включает 32 таких пакета.

Благодаря новой конструкции 4-го поколения V-NAND твердотельный диск 32 Тбайт SAS позволяет сократить системные требования к пространству в 40 раз по сравнению с системой аналогичного типа, где используются две стойки жестких дисков (HDD). Твердотельный диск 32 Тбайт SAS будет поставляться в 2,5-дюйм форм-факторе, его производство начнется в 2017 г. Компания Samsung также ожидает, что к 2020 г. будут доступны твердотельные диски емкостью более 100 Тбайт.

Компания также представила твердотельный диск 1 Тбайт BGA, который имеет чрезвычайно компактную структуру пакета BGA (массив шариков). Новинка содержит все необходимые компоненты твердотельного накопителя, включая чипы флэш-памяти V-NAND (трехуровневые ячейки), мобильную память LPDDR4 DRAM и современный контроллер Samsung.

Диск обеспечивает повышенную производительность: скорость последовательного чтения составляет 1500 Мбаайт/с, скорость последовательной записи — 900 Мбайт/с. При размере, уменьшенном на 50% по сравнению с предшественником, этот твердотельный накопитель весит всего около 1 г (меньше половины веса монеты в 10 центов), что делает его отличным решением для ультракомпактных ноутбуков, планшетов и устройств-трансформеров нового поколения.

В следующем году Samsung Electronics планирует выпустить твердотельный диск BGA 1 Тбайт, применив технологию высокоплотного пакетирования под названием FO-PLP (веерное пакетирование слоев на панели), которую компания разработала совместно с подразделением Samsung Electro-Mechanics.

Компания Samsung также разработала высокопроизводительный твердотельный накопитель с ультранизкой задержкой под названием Z-SSD. Эта модель имеет фундаментальную конструкцию на базе V-NAND и уникальную конструкцию микросхем и контроллера, что позволяет добиться максимальной производительности: задержка в 4 раза меньше, а скорость последовательного чтения в 1,6 раза выше по сравнению с твердотельными дисками Samsung PM963 NVMe.

Накопитель Z-SSD будет использоваться в системах, где требуется чрезвычайно интенсивный анализ в режиме реального времени, а также нужно увеличить производительность для всех типов рабочих нагрузок. Ожидается, что накопитель будет выпущен в следующем году.

На конференции Flash Memory Summit (FMS) демонстрируются массовые приложения, ключевые технологии и продукция ведущих производителей, которые работают на многомиллиардных рынках энергонезависимой памяти и твердотельных накопителей.