Byte/RE ИТ-издание

просмотр тегов

Флэш-память (Энергонезависимая ROM, NAND)

Память и накопители

Жесткие диски vs твердотельные

--> 1 859
Два типа накопителей, на которых хранятся сегодня огромные объемы генерируемых в мире данных, используют совершенно разные технологии, у каждой из которых есть свои плюсы и минусы. В то же время эти технологии не являются взаимоисключающими…
Память и накопители

Тысяча слоев для памяти NAND – не предел

Максим Белоус 333 0
Для наращивания многослойности своих чипов памяти Samsung Electronics планирует применять специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния. По данным источников в индустрии, компания работает над следующим, 10-м…

Микросхема памяти GS Nanotech – в реестре Минпромторга

--> 198 0
Компания GS Nanotech (входит в GS Group) сообщила, что микросхема энергонезависимой памяти NOR FLASH GSN2517Y в корпусе SOP8 собственного производства компании внесена в реестр промышленной продукции, произведенной на территории РФ. До…

Накопитель Transcend для встроенных систем

--> 322 0
Компания Transcend представила компактный твердотельный диск (SSD) MTS570P, предназначенный для использования во встроенных системах (серверах для граничных вычислений, устройствах интернета транспортных средств (IoV), сетевых…

Твердотельные диски Phison для систем видеонаблюдения

--> 223 0
Тайваньская компания Phison Electronics, производитель твердотельных накопителей NAND и контроллеров для устройств хранения, представила специализированные диски SSD, предназначенные для систем видеонаблюдения. Накопители Phison S12DI и…
ИБП Обзоры
Память и накопители

Первый образец флэш-памяти UFS 4.0 от Kioxia

Максим Белоус 389 0
Модуль полупроводникового хранилища данных, выполненный по новейшему стандарту Universal Flash Storage версии 4.0, имеет существенно более высокую скорость последовательного чтения и записи, чем типичные образцы устройств UFS 3.1, и…
Память и накопители

NAND-память: 300 слоев – не предел

Максим Белоус 313 0
Samsung объявила о готовности уже в начале 2024 г. приступить к серийному выпуску чипов памяти с числом слоев 300 и более. Речь идет о 9-м поколении технологии V-NAND, разработка которого ведется с августа текущего года.

«Мэйнстримный» SSD Micron для дата-центров

--> 278 0
Компания Micron Technology представила твердотельный накопитель Micron 7500 NVMe SSD, предназначенный для обслуживания развертываемых в дата-центрах типичных приложений с интенсивным обращением к СХД. Новый накопитель использует…
Память и накопителиСХД

Убьет ли флэш-память SSD гибридные массивы?

Лев Левин 780 0
Появление флэш-памяти Quad-Level Cell (QLC) может снизить стоимость хранения на SSD-накопителях до уровня ее стоимости на жестких дисках. Однако по сравнению с другими типами флэш-памяти она хуже выдерживает интенсивные операции перезаписи…
Память и накопители

ReRAM – перспективная технология энергонезависимой памяти

Максим Белоус 329 0
По оценке аналитиков, из направлений разработки в области энергонезависимого хранения информации – технологии резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM или ReRAM), магнитной RAM (MRAM) и памяти на основе фазового перехода (PCM) –…
СХД

Твердотельная память – теперь и для хранения «холодных» данных

Лев Левин 1 778 0
Четырехуровневая твердотельная память QLC NAND позволяет записать в одной ячейке NAND не три, а четыре бита, что увеличивает плотность записи и снижает стоимость хранения данных. Такое увеличение плотности размещения имеет свои минусы, но…
Память и накопители

Плотнее или выше: два взгляда на будущее флэш-памяти

Максим Белоус 418 0
На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?

Производственные планы Samsung Electronics на 2023 г. и далее

Максим Белоус 323 0
В планах, объявленных на Samsung Tech Day 2022, – массовое производство современных СБИС (в частности, пятого поколения DRAM класса 10 нм), серийное производство сверхмногослойных микросхем NAND с 1 тыс. слоев многоуровневых ячеек и…