SK Hynix

В условиях, когда ограничения на поставки в материковый Китай как самих передовых ИТ-продуктов, так и фотолитографических машин для их производства становятся все более жесткими, в КНР находят способы преодолевать искусственно навязываемое…

Для наращивания многослойности своих чипов памяти Samsung Electronics планирует применять специально разработанные ферроэлектрические материалы на основе гафния. По данным источников в индустрии, компания работает над следующим, 10-м…

Технология памяти High Bandwidth Memory значительно увеличивает полосу пропускания по сравнению с оперативной памятью DDR, обеспечивая тем самым потребности приложений искусственного интеллекта. Сегодня на подходе уже расширенная версия…

Samsung объявила о готовности уже в начале 2024 г. приступить к серийному выпуску чипов памяти с числом слоев 300 и более. Речь идет о 9-м поколении технологии V-NAND, разработка которого ведется с августа текущего года.

Технология MCR, разработанная совместно Intel и корейской SK hynix, обеспечивает одновременное использование обоих рангов памяти, что удваивает объем извлекаемых из модуля памяти данных.

SK hynix начинает серийное производство флэш-памяти 3D-NAND с 238 слоями в каждой микросхеме вместо 176, что обеспечивает рост производственной эффективности и снижает издержки.

SK hynix, разработчик памяти с высокой пропускной способностью – HBM, уменьшающей задержки при пересылке данных между процессорами и оперативной памятью, готовит к выпуску 12-слойную память четвертого поколения HBM3.

На конференции ISSCC, где одной из наиболее горячих тем стало будущее памяти NAND, были предложены два подхода к проблеме: как обеспечить рост доступных объемов полупроводниковых накопителей не в ущерб их габаритам?

Разработанные южнокорейской SK hynix микросхемы оперативной памяти для мобильных устройств по новейшей версии стандарта DDR5 – Low Power Double Data Rate 5 Turbo – демонстрируют производительность выше, чем у предыдущей субверсии стандарта,…